Hersteller Produktnummer:
RN1310,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN1310,LF-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SC-70
Inventar:
2742 Stück Neu Original Auf Lager
13275906
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EINREICHEN
RN1310,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70
Basis-Produktnummer
RN1310
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN1310,LF(B
264-RN1310LFTR
264-RN1310LFDKR
264-RN1310LFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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