Hersteller Produktnummer:
RN1103MFV,L3F(CT
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN1103MFV,L3F(CT-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventar:
175 Stück Neu Original Auf Lager
13275907
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EINREICHEN
RN1103MFV,L3F(CT Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
VESM
Basis-Produktnummer
RN1103
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
264-RN1103MFVL3F(DKR
RN1103MFV,L3F(CB
264-RN1103MFVL3F(TR
264-RN1103MFVL3F(CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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