RN1104MFV,L3F
Hersteller Produktnummer:

RN1104MFV,L3F

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN1104MFV,L3F-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

Inventar:

7999 Stück Neu Original Auf Lager
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RN1104MFV,L3F Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
VESM
Basis-Produktnummer
RN1104

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,000
Andere Namen
RN1104MFV(TL3T)CT-DG
RN1104MFVTL3T
RN1104MFV(TL3T)DKR
RN1104MFV,L3F(T
RN1104MFV (TL3,T)
RN1104MFV(TL3T)CT
RN1104MFVL3FCT
RN1104MFV,L3F(B
RN1104MFV(TL3T)TR
RN1104MFV(TL3T)DKR-DG
RN1104MFVL3FDKR
RN1104MFV(TL3,T)
RN1104MFV(TL3T)TR-DG
RN1104MFVL3FTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DTC144EM3T5G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1415
TEILNUMMER
DTC144EM3T5G-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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Teilenummer
NSVDTC144EM3T5G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
8000
TEILNUMMER
NSVDTC144EM3T5G-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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onsemi
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8000
TEILNUMMER
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Einheitspreis
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7192
TEILNUMMER
DTC144TM3T5G-DG
Einheitspreis
0.04
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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