DTD543EETL
Hersteller Produktnummer:

DTD543EETL

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

DTD543EETL-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 12 V 500 mA 260 MHz 150 mW Surface Mount EMT3

Inventar:

1331 Stück Neu Original Auf Lager
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DTD543EETL Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
115 @ 100mA, 2V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
260 MHz
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
EMT3
Basis-Produktnummer
DTD543

Datenblatt & Dokumente

Zuverlässigkeit Dokumente
EMT3 DTR Reliability Test
Datenblätter
DTD543EE DTA114EEFRA

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DTD543EETLTR
DTD543EETL-ND
DTD543EETLCT
DTD543EETLDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
PDTC143EM,315
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
9936
TEILNUMMER
PDTC143EM,315-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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Teilenummer
DDTC114EE-7-F
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
4900
TEILNUMMER
DDTC114EE-7-F-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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0.03
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DDTC124EE-7-F-DG
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0.03
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certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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