Hersteller Produktnummer:
MT3S20P(TE12L,F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
MT3S20P(TE12L,F)-DG
Beschreibung:
RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 1.8W Surface Mount PW-MINI
Inventar:
12889837
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MT3S20P(TE12L,F) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12V
Frequenz - Übergang
7GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
1.45dB @ 1GHz
Gewinnen
16.5dB
Leistung - Max
1.8W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
80mA
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-243AA
Gerätepaket für Lieferanten
PW-MINI
Basis-Produktnummer
MT3S20
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
MT3S20P(TE12LF)CT
MT3S20P(TE12LF)DKR
MT3S20P(TE12LF)TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BFU590QX
HERSTELLER
NXP USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
2853
TEILNUMMER
BFU590QX-DG
Einheitspreis
0.40
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