2SC5087R(TE85L,F)
Hersteller Produktnummer:

2SC5087R(TE85L,F)

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

2SC5087R(TE85L,F)-DG

Beschreibung:

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 150mW Surface Mount SMQ

Inventar:

3000 Stück Neu Original Auf Lager
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2SC5087R(TE85L,F) Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12V
Frequenz - Übergang
8GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Gewinnen
-
Leistung - Max
150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
80mA
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-61AA
Gerätepaket für Lieferanten
SMQ
Basis-Produktnummer
2SC5087

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2SC5087R(TE85LF)CT
2SC5087R(TE85LF)DKR
2SC5087R(TE85LF)TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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