Hersteller Produktnummer:
MT3S111TU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
MT3S111TU,LF-DG
Beschreibung:
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Surface Mount UFM
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
12889337
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MT3S111TU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
6V
Frequenz - Übergang
10GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Gewinnen
12.5dB
Leistung - Max
800mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
UFM
Basis-Produktnummer
MT3S111
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
MT3S111TULFDKR
MT3S111TU,LF(T
MT3S111TU,LF(B
MT3S111TULFCT
MT3S111TULFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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