Hersteller Produktnummer:
MT3S113P(TE12L,F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
MT3S113P(TE12L,F)-DG
Beschreibung:
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 5.3V 100mA 7.7GHz 1.6W Surface Mount PW-MINI
Inventar:
6 Stück Neu Original Auf Lager
12889648
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MT3S113P(TE12L,F) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
5.3V
Frequenz - Übergang
7.7GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
1.45dB @ 1GHz
Gewinnen
10.5dB
Leistung - Max
1.6W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-243AA
Gerätepaket für Lieferanten
PW-MINI
Basis-Produktnummer
MT3S113
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
MT3S113P(TE12LF)TR
MT3S113P(TE12LF)DKR
MT3S113P(TE12LF)CT
MT3S113P(TE12LF)
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
BFP843H6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
6037
TEILNUMMER
BFP843H6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.14
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