Hersteller Produktnummer:
HN4B01JE(TE85L,F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN4B01JE(TE85L,F)-DG
Beschreibung:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ESV
Inventar:
3440 Stück Neu Original Auf Lager
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HN4B01JE(TE85L,F) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN, PNP (Emitter Coupled)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
100mW
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-553
Gerätepaket für Lieferanten
ESV
Basis-Produktnummer
HN4B01
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
HN4B01JETE85LF
HN4B01JE(TE85LF)TR
HN4B01JE(TE85LF)DKR
HN4B01JE (TE85L,F)
HN4B01JE(TE85LF)CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FMY1AT148
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
175
TEILNUMMER
FMY1AT148-DG
Einheitspreis
0.10
ERSATZART
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