Hersteller Produktnummer:
HN4B04J(TE85L,F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN4B04J(TE85L,F)-DG
Beschreibung:
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
Inventar:
12891332
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HN4B04J(TE85L,F) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 100mA, 1V
Leistung - Max
300mW
Frequenz - Übergang
200MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-74A, SOT-753
Gerätepaket für Lieferanten
SMV
Basis-Produktnummer
HN4B04
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
HN4B04JTE85LF
HN4B04J(TE85LF)CT
HN4B04J(TE85LF)DKR
HN4B04J(TE85LF)TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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