Hersteller Produktnummer:
HN2C01FEYTE85LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN2C01FEYTE85LF-DG
Beschreibung:
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
2640 Stück Neu Original Auf Lager
12889415
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HN2C01FEYTE85LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
100mW
Frequenz - Übergang
60MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Basis-Produktnummer
HN2C01
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
HN2C01FEYTE85LFDKR
HN2C01FEYTE85LFTR
HN2C01FEYTE85LFCT
HN2C01FE-Y(TE85L,F
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
HN1C01FE-Y,LF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
HN1C01FE-Y,LF-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
Direct
Teilenummer
EMX1T2R
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
15274
TEILNUMMER
EMX1T2R-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
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