Hersteller Produktnummer:
HN3C51F-BL(TE85L,F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN3C51F-BL(TE85L,F-DG
Beschreibung:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventar:
12889539
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HN3C51F-BL(TE85L,F Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
120V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
350 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
300mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-74, SOT-457
Gerätepaket für Lieferanten
SM6
Basis-Produktnummer
HN3C51
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
HN3C51F-BL(TE85LF)CT-DG
HN3C51F-BL(TE85L,F)
HN3C51F-BLTE85LF
HN3C51F-BL (TE85L,F
HN3C51F-BL(TE85LFCT
HN3C51FBL(TE85LFTR
HN3C51F-BL(TE85LF)TR-DG
HN3C51FBL(TE85LFTR-DG
HN3C51F-BL(TE85LF)CT
HN3C51F-BL(TE85LF)DKR
HN3C51F-BL(TE85LF)TR
HN3C51F-BL(TE85LFTR
HN3C51F-BL(TE85LF)DKR-DG
HN3C51F-BL(TE85LFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
2SC4117-BL,LF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
16200
TEILNUMMER
2SC4117-BL,LF-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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