Hersteller Produktnummer:
HN4C06J-BL(TE85L,F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN4C06J-BL(TE85L,F-DG
Beschreibung:
TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Inventar:
12890625
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
HN4C06J-BL(TE85L,F Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
2 NPN (Dual) Common Emitter
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
120V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
300mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-74A, SOT-753
Gerätepaket für Lieferanten
SMV
Basis-Produktnummer
HN4C06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
HN4C06J-BL(TE85LFTR
HN4C06J-BL(TE85LFDKR
HN4C06J-BL(TE85LFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
ULN2803APG,CN
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
HN1B01FU-GR,LF
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
ULN2004APG,C,N
IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
