Hersteller Produktnummer:
HN1B04FU-GR,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN1B04FU-GR,LF-DG
Beschreibung:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6
Inventar:
2765 Stück Neu Original Auf Lager
12891054
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HN1B04FU-GR,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
200mW
Frequenz - Übergang
150MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
HN1B04
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
HN1B04FU-GR(L,F,T)
HN1B04FU-GRLFT
HN1B04FU-GRLFCT
HN1B04FU-GR(LFT)TR-DG
HN1B04FU-GRLF-DG
HN1B04FU-GR(LFT)DKR-DG
264-HN1B04FU-GR,LFCT
HN1B04FU-GR(LFT)CT-DG
HN1B04FU-GRLFINACTIVE
HN1B04FU-GR(LFT)DKR
HN1B04FU-GRLFCT-DG
HN1B04FU-GR,LF(B
264-HN1B04FU-GR,LFDKR
HN1B04FU-GR(LFT)TR
HN1B04FU-GRLFTR-DG
264-HN1B04FU-GR,LFTR
HN1B04FU-GR(LFT)CT
HN1B04FU-GRLF
HN1B04FU-GRLFDKR-DG
HN1B04FU-GRLFDKR
HN1B04FU-GR,LF(T
HN1B04FU-GRLFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
UMZ1NT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
11000
TEILNUMMER
UMZ1NT1G-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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