Hersteller Produktnummer:
HN1A01FU-Y,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN1A01FU-Y,LF-DG
Beschreibung:
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
Inventar:
4491 Stück Neu Original Auf Lager
12890708
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
HN1A01FU-Y,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
200mW
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
HN1A01
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
HN1A01FU-Y,LF(B
HN1A01FU-Y(T5LFT)DKR
HN1A01FU-Y(T5LFT)CT
HN1A01FU-YLFCT
HN1A01FU-Y,LF(T
HN1A01FU-Y(T5L,F,T
HN1A01FU-Y(T5LFT)DKR-DG
HN1A01FU-YT5LFT
HN1A01FU-YLFDKR
HN1A01FU-Y(T5LFT)CT-DG
HN1A01FU-Y(T5LFT)TR
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)
HN1A01FU-Y(T5LFT)TR-DG
HN1A01FU-YLFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
HN1C03F-B(TE85L,F)
TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
HN2C01FU-GR(T5L,F)
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
HN1A01FE-Y,LF
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6