Hersteller Produktnummer:
HN1C03F-B(TE85L,F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN1C03F-B(TE85L,F)-DG
Beschreibung:
TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventar:
12890747
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HN1C03F-B(TE85L,F) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
300mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
20V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
350 @ 4mA, 2V
Leistung - Max
300mW
Frequenz - Übergang
30MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-74, SOT-457
Gerätepaket für Lieferanten
SM6
Basis-Produktnummer
HN1C03
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
HN1C03F-B(TE85LF)TR
HN1C03F-B(TE85LF)CT
HN1C03F-B(TE85LF)DKR
HN1C03F-B (TE85L,F)
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IMX25T110
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
6202
TEILNUMMER
IMX25T110-DG
Einheitspreis
0.09
ERSATZART
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