Hersteller Produktnummer:
HN1A01FE-GR,LXHF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN1A01FE-GR,LXHF-DG
Beschreibung:
AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
7702 Stück Neu Original Auf Lager
12966911
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EINREICHEN
HN1A01FE-GR,LXHF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
100mW
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Basis-Produktnummer
HN1A01
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
264-HN1A01FE-GR,LXHFDKR-DG
264-HN1A01FE-GR,LXHFCT-DG
264-HN1A01FE-GR,LXHFCT
264-HN1A01FE-GR,LXHFDKR
264-HN1A01FE-GRLXHFCT
264-HN1A01FE-GRLXHFTR
264-HN1A01FE-GR,LXHFTR-DG
264-HN1A01FE-GRLXHFDKR
264-HN1A01FE-GR,LXHFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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