Hersteller Produktnummer:
HN1B04FE-GR,LXHF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN1B04FE-GR,LXHF-DG
Beschreibung:
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
2353 Stück Neu Original Auf Lager
12966961
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
HN1B04FE-GR,LXHF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
100mW
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Basis-Produktnummer
HN1B04
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
264-HN1B04FE-GRLXHFTR
264-HN1B04FE-GR,LXHFCT
264-HN1B04FE-GRLXHFCT
264-HN1B04FE-GRLXHFDKR
264-HN1B04FE-GR,LXHFTR
264-HN1B04FE-GR,LXHFTR-DG
264-HN1B04FE-GR,LXHFCT-DG
264-HN1B04FE-GR,LXHFDKR-DG
264-HN1B04FE-GR,LXHFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
HN1A01FE-Y,LXHF
AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
HN1C01FU-GR,LXHF
AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
SG2024J
DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
