Hersteller Produktnummer:
SSM3J16CT(TPL3)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3J16CT(TPL3)-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 100MA CST3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Inventar:
12889676
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SSM3J16CT(TPL3) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
π-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 100µA
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11 pF @ 3 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
CST3
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Basis-Produktnummer
SSM3J16
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
SSM3J16CTTPL3
SSM3J16CT(TPL3)CT
SSM3J16CT(TPL3)DKR
SSM3J16CT(TPL3)TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RSC002P03T316
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
51619
TEILNUMMER
RSC002P03T316-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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