Hersteller Produktnummer:
2SD2257(CANO,Q,M)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SD2257(CANO,Q,M)-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventar:
12891108
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SD2257(CANO,Q,M) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
2000 @ 2A, 2V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220NIS
Basis-Produktnummer
2SD2257
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2SD2257CANOQM
2SD2257(CANOQM)
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2SA1955FVATPL3Z
TRANS PNP 12V 0.4A CST3
2SC3668-Y,F2PANF(J
TRANS NPN 50V 2A MSTM
2SA1163-GR,LF
TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
