Hersteller Produktnummer:
2SA1955FVATPL3Z
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SA1955FVATPL3Z-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 12V 0.4A CST3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 400 mA 130MHz 100 mW Surface Mount CST3
Inventar:
2376 Stück Neu Original Auf Lager
12891110
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2SA1955FVATPL3Z Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
400 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
300 @ 10mA, 2V
Leistung - Max
100 mW
Frequenz - Übergang
130MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Gerätepaket für Lieferanten
CST3
Basis-Produktnummer
2SA1955
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
2SA1955FV-A(TPL3,Z
2SA1955FVATPL3ZDKR
2SA1955FVATPL3ZCT
2SA1955FVATPL3ZTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
PBSS3515M,315
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
4400
TEILNUMMER
PBSS3515M,315-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
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