Hersteller Produktnummer:
2SD1407A-Y(F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SD1407A-Y(F)-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 100V 5A TO220NIS
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 12MHz 30 W Through Hole TO-220NIS
Inventar:
12891164
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SD1407A-Y(F) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2V @ 400mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1A, 5V
Leistung - Max
30 W
Frequenz - Übergang
12MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220NIS
Basis-Produktnummer
2SD1407
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
MJF31CG
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
231
TEILNUMMER
MJF31CG-DG
Einheitspreis
0.44
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TTC004B,Q
TRANS NPN 160V 1.5A TO126N
2SB1495,Q(J
TRANS PNP 100V 3A TO220NIS
2SC3326-A,LF
TRANS NPN 20V 0.3A TO236
