Hersteller Produktnummer:
2SC3326-A,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SC3326-A,LF-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 300 mA 30MHz 150 mW Surface Mount TO-236
Inventar:
73823 Stück Neu Original Auf Lager
12891196
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2SC3326-A,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
300 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
20 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 4mA, 2V
Leistung - Max
150 mW
Frequenz - Übergang
30MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236
Basis-Produktnummer
2SC3326
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2SC3326-A(TE85LF)TR-DG
2SC3326-A (TE85L,F)
2SC3326-ALFTR
2SC3326-A,LF(B
2SC3326-A(TE85LF)DKR-DG
2SC3326-A(TE85LF)CT
2SC3326-ATE85LF
2AC3326-A,LF(T
2SC3326-A(TE85L,F)
2SC3326-A,LF(T
2SC3326-A(TE85LF)CT-DG
2SC3326-A(TE85LF)TR
2SC3326-ALFDKR
2SC3326-A(TE85LF)DKR
2SC3326-ALFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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