Hersteller Produktnummer:
2SC4793(F,M)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SC4793(F,M)-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 230V 1A TO220NIS
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventar:
12890001
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2SC4793(F,M) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
230 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220NIS
Basis-Produktnummer
2SC4793
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
2SC4793(F,M)-DG
2SC4793(Q)
2SC4793-NDR
2SC4793F,M-DG
2SC4793FM
2SC4793Q
2SC4793Q-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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