Hersteller Produktnummer:
2SC5200N(S1,E,S)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SC5200N(S1,E,S)-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 230V 15A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(N)
Inventar:
12891483
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2SC5200N(S1,E,S) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
15 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
230 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
3V @ 800mA, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
5µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 1A, 5V
Leistung - Max
150 W
Frequenz - Übergang
30MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P(N)
Basis-Produktnummer
2SC5200
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Andere Namen
2SC5200N(S1ES)
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
2SC3263
HERSTELLER
Sanken Electric USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
48
TEILNUMMER
2SC3263-DG
Einheitspreis
2.23
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Upgrade
Teilenummer
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HERSTELLER
Sanken Electric USA Inc.
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TEILNUMMER
2SC6145-DG
Einheitspreis
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