2SA1869-Y,Q(J
Hersteller Produktnummer:

2SA1869-Y,Q(J

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

2SA1869-Y,Q(J-DG

Beschreibung:

TRANS PNP 50V 3A TO220NIS
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 3 A 100MHz 10 W Through Hole TO-220NIS

Inventar:

12891500
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2SA1869-Y,Q(J Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
600mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 2V
Leistung - Max
10 W
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220NIS
Basis-Produktnummer
2SA1869

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
2SA1869YQJ
2SA1869-YQ(J

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
2SA2097(TE16L1,NQ)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
72
TEILNUMMER
2SA2097(TE16L1,NQ)-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
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