Hersteller Produktnummer:
2SC3665-Y(T2NSW,FM
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SC3665-Y(T2NSW,FM-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 120V 0.8A MSTM
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 800 mA 120MHz 1 W Through Hole MSTM
Inventar:
12891238
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2SC3665-Y(T2NSW,FM Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
800 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
120 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
120MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
SC-71
Gerätepaket für Lieferanten
MSTM
Basis-Produktnummer
2SC3665
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2SC3665YT2NSWFM
2SC3665-Y(T2NSWFM
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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