2SC2229-O(MITIF,M)
Hersteller Produktnummer:

2SC2229-O(MITIF,M)

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

2SC2229-O(MITIF,M)-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 50 mA 120MHz 800 mW Through Hole TO-92MOD

Inventar:

12889456
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2SC2229-O(MITIF,M) Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
150 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
800 mW
Frequenz - Übergang
120MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92MOD
Basis-Produktnummer
2SC2229

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
2SC2229-O(MITIFM)
2SC2229OMITIFM

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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