Hersteller Produktnummer:
2SD1223(TE16L1,NQ)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SD1223(TE16L1,NQ)-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 1 W Surface Mount PW-MOLD
Inventar:
1345 Stück Neu Original Auf Lager
12889465
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2SD1223(TE16L1,NQ) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 6mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
20µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 3A, 2V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
PW-MOLD
Basis-Produktnummer
2SD1223
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
264-2SD1223(TE16L1,NQ)TR
2SD1223(TE16L1,NQ)-DG
264-2SD1223(TE16L1,NQ)DKR
264-2SD1223(TE16L1,NQ)CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
MJD44E3T4G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
23240
TEILNUMMER
MJD44E3T4G-DG
Einheitspreis
0.21
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