Hersteller Produktnummer:
2SB1481(TOJS,Q,M)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SB1481(TOJS,Q,M)-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 100V 4A TO220NIS
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventar:
12889863
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2SB1481(TOJS,Q,M) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 6mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
2µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
2000 @ 3A, 2V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220NIS
Basis-Produktnummer
2SB1481
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2SB1481(TOJSQM)
2SB1481TOJSQM
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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