Hersteller Produktnummer:
2SC6026MFV-Y,L3F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SC6026MFV-Y,L3F-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 60MHz 150 mW Surface Mount VESM
Inventar:
16026 Stück Neu Original Auf Lager
12889865
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2SC6026MFV-Y,L3F Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
150 mW
Frequenz - Übergang
60MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
VESM
Basis-Produktnummer
2SC6026
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
2SC6026MFV-Y,L3F(B
2SC6026MFV-YL3FDKR
2SC6026MFV-YL3FTR
2SC6026MFV-YL3FCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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