2SA1832-GR,LF
Hersteller Produktnummer:

2SA1832-GR,LF

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

2SA1832-GR,LF-DG

Beschreibung:

TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 150 mA 80MHz 100 mW Surface Mount SSM

Inventar:

12889743
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2SA1832-GR,LF Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
100 mW
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
SSM
Basis-Produktnummer
2SA1832

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2SA1832-GR(T5L,F,T
2SA1832-GR (T5L,F,T
2SA1832-GRT5LFT
2SA1832-GR(T5LFT)DKR-DG
2SA1832-GRLFDKR
2SA1832-GR(T5LFT)TR
2SA1832-GRLF
2SA1832-GRLFTR
2SA1832-GRLF-DG
2SA1832-GR(T5LFT)CT
2SA1832-GR,LF(B
2SA1832-GR(T5LFT)DKR
2SA1832-GR,LF(T
2SA1832-GR(T5L,F,T)
2SA1832-GR(T5LFT)CT-DG
2SA1832-GR(T5LFT)TR-DG
2SA1832-GRLFCT
2SA1832-GRLFINACTIVE

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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