2SA1312-BL(TE85L,F
Hersteller Produktnummer:

2SA1312-BL(TE85L,F

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

2SA1312-BL(TE85L,F-DG

Beschreibung:

TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount S-Mini

Inventar:

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2SA1312-BL(TE85L,F Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
120 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
350 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
150 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Basis-Produktnummer
2SA1312

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2SA1312-BL(TE85LF)DKR-DG
2SA1312-BL (TE85L,F)
2SA1312-BL(TE85LF)CT
2SA1312-BL(TE85LFTR
2SA1312-BL (TE85L,F
2SA1312-BL(TE85LF)DKR
2SA1312-BLTE85LF
2SA1312-BL (TE85LF)
2SA1312-BL(TE85LFDKR
2SA1312BL(TE85LFTR
2SA1312-BL(TE85LFCT
2SA1312-BL(TE85LF)TR
2SA1312-BL(TE85LF)CT-DG
2SA1312-BL(TE85LF)TR-DG
2SA1312-BL(TE85L,F)
2SA1312BL(TE85LFTR-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
2SA1163-GR,LF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
19181
TEILNUMMER
2SA1163-GR,LF-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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