Hersteller Produktnummer:
CSD25304W1015
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
CSD25304W1015-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
12816838
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CSD25304W1015 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.15V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
595 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
750mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-DSBGA (1x1.5)
Paket / Koffer
6-UFBGA, DSBGA
Basis-Produktnummer
CSD25304
Datenblatt & Dokumente
Hersteller-Produktseite
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
-296-40005-1-DG
296-40005-2
296-40005-6
CSD25304W1015-DG
296-40005-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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