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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IRFS634B_FP001
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
IRFS634B_FP001-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 8.1A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
6000 Stück Neu Original Auf Lager
12816857
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IRFS634B_FP001 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4.05A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
38W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IRFS634B_FP001
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
606
Andere Namen
2156-IRFS634B_FP001-FS
FAIFSCIRFS634B_FP001
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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