Hersteller Produktnummer:
CSD19531KCS
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
CSD19531KCS-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
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CSD19531KCS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tube
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3870 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
214W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
CSD19531
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
-CSD19531KCS-NDR
2156-CSD19531KCS
-296-37480-5-DG
296-37480-5
TEXTISCSD19531KCS
296-37480-5-NDR
CSD19531KCS-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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