Hersteller Produktnummer:
LND01K1-G
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
LND01K1-G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 9 V 330mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-5
Inventar:
3471 Stück Neu Original Auf Lager
12794311
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LND01K1-G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
9 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
330mA (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
0V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 100mA, 0V
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
+0.6V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
46 pF @ 5 V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
360mW (Ta)
Betriebstemperatur
-25°C ~ 125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-5
Paket / Koffer
SC-74A, SOT-753
Basis-Produktnummer
LND01
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
PCN-Baugruppe/Ursprung
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
LND01K1-GDKR
LND01K1-GTR
LND01K1-GCT
LND01K1-G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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