Hersteller Produktnummer:
TSM60NB1R4CH
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM60NB1R4CH-DG
Beschreibung:
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventar:
13374221
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TSM60NB1R4CH Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Verpackung
Tube
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
257.3 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
28.4W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251 (IPAK)
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
TSM60
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
15,000
Andere Namen
1801-TSM60NB1R4CH
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STU6N65M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
543
TEILNUMMER
STU6N65M2-DG
Einheitspreis
0.44
ERSATZART
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