Hersteller Produktnummer:
SIRS4301DP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIRS4301DP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 53.7A (Ta), 227A (Tc) 7.4W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
13374269
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SIRS4301DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
53.7A (Ta), 227A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
19750 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
7.4W (Ta), 132W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIRS4301
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SIRS4301DP-T1-GE3TR
742-SIRS4301DP-T1-GE3CT
742-SIRS4301DP-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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