Hersteller Produktnummer:
STWA30N65DM6AG
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STWA30N65DM6AG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 284W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Inventar:
690 Stück Neu Original Auf Lager
12966823
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
STWA30N65DM6AG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2000 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
284W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 Long Leads
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STWA30
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
497-STWA30N65DM6AG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TPH1R306P1,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
SIJ128LDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
JANTXV2N6768
MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE
