Hersteller Produktnummer:
SIJ128LDP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIJ128LDP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 10.2A (Ta), 25.5A (Tc) 3.6W (Ta), 22.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
11989 Stück Neu Original Auf Lager
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SIJ128LDP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.2A (Ta), 25.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1250 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIJ128
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SIJ128LDP-T1-GE3TR
742-SIJ128LDP-T1-GE3CT
742-SIJ128LDP-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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