Hersteller Produktnummer:
STW9N150
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STW9N150-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1500 V 8A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12876199
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STW9N150 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
PowerMESH™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
89.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3255 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
320W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW9
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
497-8465-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
2SK1835-E
HERSTELLER
Renesas Electronics Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
18610
TEILNUMMER
2SK1835-E-DG
Einheitspreis
4.54
ERSATZART
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