Hersteller Produktnummer:
2SK1835-E
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
2SK1835-E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1500 V 4A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
18610 Stück Neu Original Auf Lager
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2SK1835-E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1700 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
2SK1835
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
-1161-2SK1835-E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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