Hersteller Produktnummer:
SIR681DP-T1-RE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIR681DP-T1-RE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 80 V 17.6A (Ta), 71.9A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12948263
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SIR681DP-T1-RE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4850 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIR681
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SIR681DP-T1-RE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
QH8KA4TCR
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
18377
TEILNUMMER
QH8KA4TCR-DG
Einheitspreis
0.37
ERSATZART
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