STP8NM60FP
Hersteller Produktnummer:

STP8NM60FP

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STP8NM60FP-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP

Inventar:

12878596
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STP8NM60FP Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
STP8N

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IPA80R1K0CEXKSA2
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IPA80R1K0CEXKSA2-DG
Einheitspreis
0.67
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