IPA80R1K0CEXKSA2
Hersteller Produktnummer:

IPA80R1K0CEXKSA2

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPA80R1K0CEXKSA2-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 5.7A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Inventar:

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IPA80R1K0CEXKSA2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ CE
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
785 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IPA80R1

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IPA80R1K0CEXKSA2
HTML-Datenblatt
IPA80R1K0CEXKSA2-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
SP001313392
2156-IPA80R1K0CEXKSA2
INFINFIPA80R1K0CEXKSA2

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
STF10N65K3
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
952
TEILNUMMER
STF10N65K3-DG
Einheitspreis
0.66
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FQPF7N60
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
21
TEILNUMMER
FQPF7N60-DG
Einheitspreis
2.17
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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