STP8NM50FP
Hersteller Produktnummer:

STP8NM50FP

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STP8NM50FP-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 550V 8A TO220FP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 550 V 8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP

Inventar:

12880444
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STP8NM50FP Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
550 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
415 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
STP8N

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
STP8NM50FP-DG
497-5396-5

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRFIB7N50APBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
813
TEILNUMMER
IRFIB7N50APBF-DG
Einheitspreis
1.31
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