STB21NM60N
Hersteller Produktnummer:

STB21NM60N

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STB21NM60N-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventar:

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STB21NM60N Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1900 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB21N

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-5002-1
497-5002-2

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
TK14G65W,RQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
3525
TEILNUMMER
TK14G65W,RQ-DG
Einheitspreis
0.93
ERSATZART
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Teilenummer
R6015ENJTL
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VERFÜGBARE ANZAHL
4
TEILNUMMER
R6015ENJTL-DG
Einheitspreis
1.65
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certification_02
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cr
certification_015
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