Hersteller Produktnummer:
STP7N52DK3
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP7N52DK3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 525V 6A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 525 V 6A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12879034
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STP7N52DK3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
SuperFREDmesh3™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
525 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.15Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
870 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP7N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
-497-10714-5
497-10714-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF840APBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
9022
TEILNUMMER
IRF840APBF-DG
Einheitspreis
0.74
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