Hersteller Produktnummer:
STD6NM60N-1
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STD6NM60N-1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventar:
12879054
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STD6NM60N-1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
920mOhm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
420 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251 (IPAK)
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
STD6N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STU10N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
59
TEILNUMMER
STU10N60M2-DG
Einheitspreis
1.24
ERSATZART
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